韓国3D NANDフラッシュ市場成長、2033への予測

業界: Semiconductors & Electronics

発売日 Oct 2024
レポートID SI6750
ページ数 188
レポート形式 PathSoft

韓国 3D NAND フラッシュ市場 Insights が 2033 に予測

  • 市場規模は2023年から2033年にかけて8.2%のCAGRで成長しています
  • 韓国3D NANDフラッシュ市場規模は2033年までに大きなシェアを持たせる見込み

South Korea 3D NAND Flash Market

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韓国3D NANDフラッシュマーケットサイズは2033年までに有意なシェアを持たせ、2023年から2033年にかけて8.9%のCAGRで成長することを期待しています。

市場概観

3D NANDフラッシュは、メモリセルが垂直に複数の層に配置されている非揮発性メモリの一種で、平面NANDのストレージ容量と性能を大幅に向上させます。 その結果、垂直アーキテクチャは、より高いストレージ密度、より迅速な読み取り/書き込み速度、耐久性の向上、およびはるかに優れたエネルギー効率を実現します。 そのため、3D NANDは、スマートフォンやラップトップ、エンタープライズストレージソリューション、IoTデバイスなど、さまざまなアプリケーションに適した、はるかに安価で信頼性の高い製品です。 サムスン、ミクロン、SKハイニックス、インテルなどの大規模なリーダーは、3D NANDの開発を推進し、高容量ストレージソリューションの需要の追跡を維持する能力を継続的に高めています。 3D NANDフラッシュメモリの高性能&低レイテンシと相まって、半導体ウエハ上のスペース制約が上昇すると、3D NANDフラッシュメモリ市場の成長のための主要なドライバが形成されます。 また、韓国3D NANDフラッシュメモリの成長を促すデータセンターの需要の増加が期待されています。

レポートカバレッジ

この研究報告では、韓国3D NANDフラッシュ市場向けの市場を様々なセグメントや地域に基づいて分類し、各サブマーケットの収益成長を予測し、トレンドを分析します。 レポートは、韓国3D NANDフラッシュ市場に影響を与える主要な成長ドライバー、機会、および課題を分析します。 市場展開や製品立ち上げ、開発、パートナーシップ、合併、買収などの競争戦略は、市場で競争力のある風景を描くために含まれています。 レポートは、重要な市場プレーヤーを戦略的に識別し、プロファイルし、韓国3D NANDフラッシュ市場の各サブセグメントにおけるコアコンピテンシーを分析します。

韓国3D NANDフラッシュマーケット レポートの対象範囲

レポートの対象範囲Details
基準年:2023
予測期間:2023 - 2033
予測期間のCAGR 2023 - 2033 :8.9%
過去のデータ:2019 - 2022
ページ数:188
表、チャート、図:105
対象となるセグメント:タイプによって、適用によって。
対象企業:: Samsung Electronics Co. Ltd, KIOXIA Corporation, Micron Technology Inc., SK Hynix Inc., Intel Corporation, and Others
落とし穴と課題:COVID-19は、挑戦、未来、成長、および分析を強調します

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工場の運転

スマートフォンのフラッシュは、最近は必須要件となっています。 スマートフォンの需要増加に伴い、平均容量が指数関数的に拡大し、NANDフラッシュの需要が増加しました。 スマートフォンのNANDフラッシュメモリは、ウェブ閲覧、メールの読み込み、ゲーム、Facebookなどのソーシャルネットワークサイトのパフォーマンスを大幅に向上させることができます。 より多くの消費者がスマートフォンを抱えているにつれて、企業は、市場内の他の製品と区別する追加の機能やアプリケーションを含みます。 たとえば、メーカーには、ジェスチャーコントロール、指紋スキャナ、GPSなどのデバイスにいくつかの機能が含まれています。 スマートフォンにコードを格納するために使用されるストレージメディアの1つであるNANDフラッシュメモリの需要が増えています。

工場の修復

高生産コストと複雑な製造プロセスは、市場抑制として機能します。 また、原材料の価格変動や主要なプレーヤー間の競争環境の高騰は、一般的に収益性と韓国3D NANDフラッシュ市場成長に影響を及ぼすため、課題となります。

市場セグメント

韓国 3D NANDフラッシュマーケットシェアは、種類と用途に分類されます。

  • 予測期間を通じて最大の市場シェアを保有することが予想されるトリプルレベルセル(TLC)セグメント。

韓国 3D NANDフラッシュ市場は、単一レベルセル(SLC)、マルチレベルセル(MLC)、トリプルレベルセル(TLC)、およびクアッドレベルセル(QLC)にタイプすることでセグメント化されます。 これらの中で、予測期間を通じて最大の市場シェアを保有する三重レベルセル(TLC)セグメントが期待されます。 TLCの費用、性能および貯蔵密度のよいバランスは消費者装置および企業の適用の採用を高めるために導きました。

  • ソリッドステートドライブ(SSD)は、予測期間を通じて最大の市場シェアを保持することが予想されます。

韓国 3D NANDフラッシュ市場は、スマートフォン、タブレット、ノートパソコン、PC、ソリッドステートドライブ(SSD)などのアプリケーションでセグメント化されています。 これらの中で、ソリッドステートドライブ(SSD)は、予測期間を通じて最大の市場シェアを保持することが期待されます。 データセンターのストレージ、ゲーム、およびコンシューマーエレクトロニクスの需要が高まり、SSDの需要が高まっています。これにより、ハードドライブと比較してデータへのアクセスが高速化され、より信頼性が向上します。

競争分析:

本レポートは、韓国3D NANDフラッシュ市場における主要な組織/企業戦略、セグメント市場シェア、SWOT分析を中心に、製品提供、事業概要、地理的存在、企業戦略、セグメント市場シェア、および比較評価に関する適切な分析を提供しています。 また、製品開発、イノベーション、ジョイントベンチャー、パートナーシップ、合併、買収、戦略的アライアンス、その他を含む、企業の現在のニュースと開発に焦点を当てた実証分析も実施しています。 これにより、市場での全体的な競争の評価が可能になります。

主要企業リスト

  • サムスン電子株式会社
  • キオクシア 会社案内
  • マイクロンテクノロジー株式会社
  • SKハイニクス株式会社
  • インテル株式会社
  • その他

主ターゲット聴衆

  • マーケットプレイヤー
  • IR情報
  • エンドユーザー
  • 政府の権限
  • コンサルティング・リサーチファーム
  • ベンチャーキャピタル
  • 付加価値リセラー(VAR)

最近の開発

  • 6月2023日 キオクシアは、ソウルのIWM 2024会議で1,000層の3D NANDにロードマップをプレビューし、2027年までに100 Gbit/mm2のダイ密度を投影しました。 製造業のコストが上昇し、投資の転倒に戻って、そのパートナー、Western Digitalの間で成長する懸念の時です。

市場セグメント

この研究では、2022年から2033年までの地域、国レベルの収益を予測しています。 球面的インサイトは、以下のセグメントに基づいて韓国3D NANDフラッシュ市場をセグメント化しました。

韓国3D NANDのフラッシュ マーケット、 タイプ別

  • 単一レベルの細胞(SLC)
  • マルチレベルセル(MLC)
  • トリプルレベルセル(TLC)
  • クワッドレベルセル(QLC)

韓国3D NANDのフラッシュ市場、応用による

  • スマートフォン
  • タブレット
  • ラップトップとPC
  • ソリッドステートドライブ(SSD)
  • その他

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