Transistor bipolar de puerta aislada [IGBT] Crecimiento del mercado, Informe a 2030

Transistor bipolar de puerta aislada mundial [IGBT] Pronósticos de mercado a 2030

• El transistor bipolar de la puerta aislada [IGBT] El tamaño del mercado fue valorado en USD 5 mil millones en 2021
• El mercado está creciendo en una CAGR de 9% de 2022 a 2030
• El transistor bipolar de la puerta aislada mundial [IGBT] Se espera que el mercado alcance USD 10 mil millones en 2030
• Se espera que Europa crezca lo más rápido durante el período previsto

El transistor bipolar de la puerta aislada mundial [IGBT] Se espera que el mercado alcance USD 10 mil millones en 2030, en una CAGR de 9% durante el período de previsión 2022 a 2030. Las operaciones de la empresa en la fabricación y el comercio industrial se vieron obstaculizadas como resultado de las estrictas medidas de cierre del brote pandámico COVID-19. El brote coronavirus global ha ralentizado significativamente el crecimiento del transistor bipolar de puertas aisladas [IGBT] mercado. Las empresas se ven obligadas a utilizar su innovación y creatividad para aumentar las ventas y los ingresos como resultado de preocupaciones y restricciones globales.

Panorama general del mercado

Transistor Bipolar de puerta aislada [IGBT] es fundamentalmente un dispositivo de electrónica de potencia controlada por tensión, reemplazando los BJTs de potencia convencional y MOSFETs, como un dispositivo de conmutación. Transistores bipolares de puerta aislada [IGBT] son adecuados para aplicaciones de alta tensión y alta corriente, están diseñados para impulsar aplicaciones de alta potencia con una entrada de baja potencia. IGBT se utiliza para proporcionar conmutación rápida con alta eficiencia, con una fuente de alimentación constante y se hace disminuyendo el suministro excesivo de energía. Reduce la tensión de calor en los dispositivos eléctricos o aparatos mediante la introducción de una pérdida de interruptor inferior que da lugar a aumentos en la vida útil del dispositivo. El IGBT es el segundo transistor de potencia más utilizado, después del MOSFET de potencia, que representa el 30% del mercado de transistores de energía. El IGBT es ampliamente utilizado en electrónica de consumo, tecnología industrial, automotriz (EV/HEV), inversores/UPS, el sector energético, dispositivos electrónicos aeroespaciales y transporte.

Cobertura del informe

Este informe de investigación categoriza el mercado para el mercado mundial de transistores bipolares de compuerta aislados [IGBT] basado en varios segmentos y regiones y pronostica el crecimiento de los ingresos y analiza las tendencias en cada submercado. En el informe se analizan los principales factores de crecimiento, oportunidades y desafíos que influyen en el mercado del transistor bipolar de puerta aislada. Se han incluido avances recientes en el mercado y estrategias competitivas como la expansión, el lanzamiento y el desarrollo de productos, la asociación, la fusión y la adquisición para dibujar el panorama competitivo en el mercado. El informe identifica y perfila estratégicamente a los principales jugadores del mercado y analiza sus competencias básicas en cada subsegmentos del mercado de transistor bipolar de puerta aislada [IGBT].

Factores de conducción

La creciente popularidad y demanda de la venta de vehículos eléctricos están creciendo rápidamente debido a la creciente realización de direcciones ecológicas, no tóxicas de emisiones y la disminución del combustible fósil son los elementos clave que impulsan la demanda del transistor bipolar de puerta aislada mundial [IGBT] mercado. Además, los elevados precios del combustible también están persuadiendo a los usuarios finales a sustituir vehículos convencionales con vehículos eléctricos. Transistor bipolar de puerta aislada [IGBT] ha sido ampliamente adoptado en la energía " potencia, automotriz, electrónica de consumo e industrias como resultado de la creciente demanda de vehículos eléctricos y una mayor necesidad de dispositivos operativos de alta tensión. Las iniciativas gubernamentales que son diligentes en el establecimiento de la Corriente Directa de Alto Voltaje (HVDC) y las redes inteligentes que utilizan los IGBT para la comunicación de energía ofrecen un potencial de mercado atractivo. Además, independientemente de las tasas de conmutación de alta velocidad y la reducción de la pérdida de energía, es probable que el mercado mundial de transistor bipolar de puerta aislada [IGBT] muestre un desarrollo moderado en breve.

Factores de restricción

Las cuestiones de la IGBT incluyen mecanismos de falla, desgastado, sobrestreza, tiempos de desvío largos y retrasos, estas son algunas de las deficiencias de los IGBT que restringen el crecimiento del mercado mundial de transistores bipolar aislados (IGBTs). Los transistores bipolares de puerta aislada son extremadamente costosos para la fabricación, lo que tiene un impacto directo en su valor de mercado, lo que los hace insostenibles para muchas empresas de los países en desarrollo.

Market Segmentation

• En 2021, el segmento discreto del IGBT es testigo de una tasa de crecimiento más alta durante el período previsto.

Basado en el tipo, el mercado mundial de transistor bipolar de puertas aisladas se segmenta en módulos IGBT y IGBT discretos. Entre ellos, se espera que el segmento de IGBT sea testigo de una mayor tasa de crecimiento durante el período previsto. La creciente demanda de aplicaciones electrónicas de consumo como UPS, acondicionadores de energía, acondicionadores de aire, etc., que utilizan el tipo IGBT discreto para aplicaciones de menor corriente, se acredita con la conducción de la expansión discreta del mercado IGBT.

• En 2021, el segmento de alto nivel de potencia es testigo de un crecimiento significativo de CAGR durante el período previsto.

Sobre la base de la calificación de poder, el mercado mundial de transistor bipolar de puerta aislada se segmenta en el alto poder, el poder medio y la baja potencia. Entre ellos, se prevé que el segmento de alta potencia será testigo de un crecimiento significativo de la CAGR durante el período previsto. El mercado de calificación de alta potencia se está expandiendo debido a la creciente demanda de vehículos eléctricos, aeronaves, vehículos eléctricos, trenes, congeladores de velocidad variable, equipo de arc y acondicionadores de aire.

• En 2021, se prevé que el segmento de automoción (EV/HEV) genere los mayores ingresos durante el período previsto.

Basado en el tipo, el mercado mundial de transistores bipolares de puertas aisladas se segmenta en electrónica de consumo, energía & energía, fabricación industrial, automotriz (EV/HEV), inversores/UPS, ferrocarriles, renovables y otros. Entre ellos, se espera que el segmento de automoción (EV/HEV) sea testigo de una mayor tasa de crecimiento durante el período previsto. El aumento de la conciencia sobre las emisiones vehiculares y el consumo excesivo de recursos energéticos no renovables han obligado a las organizaciones gubernamentales a invertir en la infraestructura necesaria para vehículos eléctricos como el vehículo eléctrico de batería (BEV), el vehículo eléctrico híbrido (HEV) y el vehículo eléctrico híbrido enchufable (PHEV), así como el equipo de suministro eléctrico (EVSE). Los transistores bipolar de puerta aislada [IGBT] se utilizan en vehículos eléctricos para controlar los vehículos a alta tensión y maximizar la eficiencia.

Análisis regional del segmento del transistor bipolar de la puerta aislada [IGBT] Mercado

• América del Norte (Estados Unidos, Canadá, México)
• Europa (Alemania, Francia, Reino Unido, Italia, España, resto de Europa)
• Asia-Pacífico (China, Japón, India, resto de APAC)
• América del Sur (Brasil y el resto de América del Sur)
• Oriente Medio y África (UAE, Sudáfrica, resto del MEA)

Asia Pacific domina el mercado con la mayor cuota de mercado del 53%.

Asia Pacific domina el mercado con la mayor cuota de mercado del 53%. El crecimiento de la región se atribuye principalmente al crecimiento económico en desarrollo de países como China, India, Japón y Corea del Sur. China se acredita con el crecimiento del mercado de transistores bipolares de puertas aisladas [IGBT] en esta región porque es uno de los mejores mercados para vehículos eléctricos y el mayor productor mundial de vehículos IGBT y eléctricos. El Japón y la India también están experimentando un aumento de la demanda de recursos que ahorran energía a medida que avanza la tecnología.

Análisis competitivo:

El informe ofrece el análisis adecuado de las principales organizaciones/compañías involucradas en el mercado mundial de transistores bipolar de compuerta aislados [IGBT] junto con una evaluación comparativa basada principalmente en su oferta de productos, visión general de negocio, presencia geográfica, estrategias de empresa, cuota de mercado de segmentos y análisis SWOT. El informe también proporciona un análisis detallado centrado en las noticias y desarrollos actuales de las empresas, que incluye el desarrollo de productos, innovaciones, empresas conjuntas, asociaciones, fusiones y adquisiciones, alianzas estratégicas y otros. Esto permite la evaluación de la competencia global dentro del mercado.

Lista de jugadores clave del mercado

• Cree
• Intel Corporation
• IXYS Corporation
• ON Semiconductor
• Panasonic Corporation
• Fairchild Semiconductor International Inc.
• Methode Electronics Inc.
• Fuji Electric Co. Ltd.
• Danfoss Group
• ELAN Electrónica
• TE Connectivity Ltd.
• Mitsubishi Electric Corporation
• Samsung semiconductores
• ON Semiconductor
• Hitachi Ltd.
• Seiko Epson Corporation
• McLaren Applied
• Texas Instruments Incorporated
• LITTELFUSE Inc.
• Semikron Electronics GmbH and Co. Inc.
• Zhengzhou Yutong Group Co., Ltd.
• Diodes Incorporated
• Renesas Electronics Corporation
• ROHM Co., Ltd.
• Semiconductor Components Industries LLC
• ABB Group
• Infineon Technologies AG
• WeEn Semiconductors
• STMicroelectronics
• Nuvoton Technology Corporation
• Mouser Electronics Inc.
• Maxim Integrated Products Inc.
• StarPower Semiconductor
• Alpha y Omega Semiconductor
• Otros

Audiencia principal

• Jugadores de mercado
• Inversores
• Usuarios finales
• Autoridades gubernamentales
• Consulting And Research Firm
• capitalistas maduros
• Revendedores de valor añadido (VARs)

Desarrollo reciente

• En julio de 2020, Toshiba Corporation desarrolló un modelo compacto en Insulated Gate Bipolar Transistor [IGBT] e Injection Enhanced Gate Transistors [IEGT] para una estimación precisa de ruido y pérdida de energía de interferencia electromagnética. Este módulo reducirá el tiempo de simulación y la tasa de error en un 95%.

• En abril de 2021, Infineon Technologies AG lanzó la gama 650 V Cool SiC Hybrid IGBT que compromete tensión de bloqueo 650 V. La gama híbrida IGBT combina las ventajas de tecnologías como la barrera Schottky Cool SiC diodos y 650V TRENCHSTOP 5 IGBT.

Market Segment

Este estudio prevé ingresos a nivel mundial, regional y nacional de 2019 a 2030. Spherical Insights ha segmentado el mercado mundial de transistores bipolar de puertas aisladas basado en los segmentos siguientes:

Transistor bipolar de puerta aislada [IGBT] Mercado, Por tipo

• Discreta IGBT
• Módulo IGBT

Transistor bipolar de puerta aislada [IGBT] Mercado, Por Power Rating

• Alto poder
• Mediana potencia
• Baja potencia

Transistor bipolar de puerta aislada [IGBT] Mercado, By Application

• Consumer Electronics
• Energy & Power
• Fabricación industrial
• Automotriz (EV/HEV)
• Inversionistas/UPS
• Ferrocarriles
• Renovables
• Otros

Transistor bipolar de puerta aislada [IGBT] Mercado, Análisis Regional

• América del Norte
  • Estados Unidos
  • Canadá
  • México
• Europa
  • Alemania
  • Uk
  • Francia
  • Italia
  • España
  • Rusia
  • El resto de Europa
• Asia Pacífico
  • China
  • Japón
  • India
  • Corea del Sur
  • Australia
  • El resto de Asia Pacífico
• América del Sur
  • Brasil
  • Argentina
  • El resto de América del Sur
• Oriente Medio y África
  • UAE
  • Arabia Saudita
  • Qatar
  • Sudáfrica
  • El resto del Oriente Medio " África