Global High Electron Mobility Transistor (HEMT) Market Size.

Transistor de movilidad de electrones altos (HEMT) Mercado Insights Forecasts to 2032

• El Global High Electron Mobility Transistor Market Size fue valorado en USD 7.51 Billion en 2022.
• El mercado está creciendo en una CAGR de 8.4% de 2022 a 2032
• Se espera que el mercado mundial de transistores de alta movilidad de electrones alcance USD 16.82 millones para 2032
• Se espera que América del Norte crezca lo más rápido durante el período previsto

Se espera que el Transistor de Movilidad de Electrones Superiores Globales (HEMT) alcance USD 16.82 millones en 2032, en una CAGR de 14,27% durante el período de previsión 2022 a 2032.

El transistor de alta movilidad electrones, o HEMT, es un tipo de transistor de efecto de campo (FET) que proporciona una relación de ruido extremadamente baja y niveles de eficiencia altamente significativos en rangos de frecuencia de microondas. Aluminium Gallium Arsenide (AlGaAs) y Gallium Arsenide (GaAs) fueron uno de los materiales más utilizados para la producción de transistor de alta movilidad de electrones. Gallium Arsenide es comúnmente utilizado porque tiene mayores movilidades y velocidades de deriva del portador que el material Si y da un alto nivel de conductividad básica. Los transistores de alta movilidad de electrones, que son capaces de funcionar a frecuencias de longitud de onda milímetro, se utilizan en dispositivos de alta frecuencia, que incluyen teléfonos inteligentes, receptores de TV vía satélite, dispositivos de conversión de energía y sistemas de detección de radar. Con frecuencia se encuentran en receptores de microondas, amplificadores de baja potencia y en las industrias aeroespacial y de defensa. Actualmente, HEMTs se utilizan típicamente en dispositivos semiconductores. Estos chips del circuito integrado de microondas monolíticas (MMIC) se utilizan con frecuencia en el diseño de RF.

Los principales jugadores del mercado mundial de movilidad de electrones altos (HEMT) incluyen Intel Corporation, Mitsubishi, ROHM, NXP Semiconductor N.V., Infineon, ST Microelectronics, Qorvo, Renesas Electronics y Microsemi. Los jugadores de la industria están empleando una variedad de estrategias, incluyendo lanzamientos de productos, asociaciones, empresas conjuntas y adquisiciones, para aumentar su cuota de mercado en el mercado de Transistor de Movilidad de Electrones (HEMT).

Por ejemplo, ROHM Semiconductor anunció la producción masiva de 650V GaN (Gallium Nitride) HEMTs GNP1070TC-Z y GNP1150TCA-Z en mayo de 2023. Estos dispositivos fueron adaptados para una variedad de aplicaciones en sistemas de suministro de energía. Juntos, Delta Electronics, Inc. y Ancora Semiconductors, Inc., una subsidiaria que crea dispositivos GaN, han desarrollado estos productos innovadores. Un obstáculo importante para establecer una civilización descarbonizada es aumentar la eficiencia de las fuentes de energía y los motores, que consumen la mayoría de la electricidad del mundo. La adopción de materiales novedosos como GaN y SiC es esencial para aumentar la eficiencia del suministro de energía eléctrica.

Factores de conducción

La creciente demanda de sistemas de energía rentables, así como el aumento de la demanda de consumidores de electrónica de consumo, son una de las principales tendencias que impulsan la alta expansión del mercado de transistores de movilidad de electrones. Dados los beneficios que ofrece sobre materiales alternativos como GaAs y SiC, el segmento de transistor de alta movilidad de electrones GaN es probable que tenga una proporción significativa del mercado mundial de transistores de alta movilidad de electrones durante todo el período de previsión.

Desde las etapas iniciales, el enorme número de usos potenciales para estos semiconductores propulsaron el crecimiento extremadamente rápido de estos transistores. La adopción de dispositivos de nitrido de gallium (GaN) HEMT en vehículos eléctricos, motores de tren, distribución de energía y otras aplicaciones que necesiten conmutación de alta tensión y alta frecuencia minimizará el precio de adquirir transistores fiables y rentables necesarios en la electrónica de energía. Además, es probable que la creciente demanda de tecnologías innovadoras de transistores de alta movilidad de electrones en las industrias aeroespaciales y militares, así como la fabricación de automóviles, ofrezca oportunidades de crecimiento para que el mercado mundial de transistores de alta movilidad de electrones siga creciendo.

La mayoría de los fabricantes de dispositivos semiconductores en todo el mundo producen transistores de alta movilidad de electrones. Pueden ser transistores discretos, pero actualmente están más incluidos en circuitos integrados. Estos chips Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) se utilizan comúnmente para aplicaciones de diseño RF, y los MMIC basados en transistores de alta movilidad de electrones se utilizan con frecuencia para dar el grado necesario de rendimiento en muchos sectores. Además, los principales factores que contribuyen al alto crecimiento del mercado de los transistores de movilidad de electrones son el aumento de los gastos de los dispositivos HEMT y el crecimiento y desarrollo, así como el aumento de las mejoras tecnológicas en el elevado sector de los transistores de movilidad de electrones.

Factores de restricción

Sin embargo, se espera que la falta de procedimientos convencionales para producir y desarrollar dispositivos transistores HEMT disminuya el crecimiento del elevado mercado de transistores de movilidad de electrones. Además, el rendimiento de GAN HEMTs y el costo de los circuitos integrados por microondas sigue siendo un reto en términos de adopción de mercado. Además, el efecto de la temperatura en la promoción de la pérdida de GAN HEMT no se resuelve y la intensidad creciente de las variables de deterioro también no se explora.

Market Segmentation

Por tipo de entradas

El segmento de Gallium Nitride (GaN) está dominando el mercado con la mayor cuota de ingresos durante el período previsto.

Sobre la base del tipo, el mercado mundial de transistores de alta movilidad de electrones se segmenta en el Nitruro de Gallium (GaN), Silicon Carbide (SiC), Gallium Arsenide (GaAs), y otros. Entre ellos, el segmento de Gallium Nitride (GaN) está dominando el mercado con la mayor cuota de ingresos del 48,6% durante el período previsto. Cuando se opone a las tecnologías existentes como Silicon (SI) o Gallium Arsenide (GaAs), los dispositivos HEMT más excitantes dependen actualmente de Gallium Nitride (GaN), un material que ofrece una densidad de alta calidad y alta potencia y una transmisión excelente. GaN también es buscada para una amplia gama de aplicaciones electrónicas debido a su excelente transporte de electrones y características eléctricas. AlGaN / GaN HEMTs han captado una parte significativa de la atención entre varios componentes electrónicos basados en GaN debido a su notable rendimiento en aplicaciones de banda de onda de alta potencia y milímetro.

Por End-Users Insights

El segmento de electrónica de consumo representó la mayor parte de ingresos de más del 36,2% durante el período previsto.

Sobre la base de usos finales, el mercado mundial de transistores de alta movilidad de electrones se segmenta en electrónica de consumo, automoción, defensa industrial, aeroespacial y otros. Entre ellos, el segmento de electrónica de consumo está dominando el mercado con la mayor cuota de ingresos del 36,2% durante el período previsto. Debido a sus mejores aplicaciones de alta frecuencia, bajo ruido y banda ancha, se utilizan semiconductores transistores de alta movilidad de electrones en electrónica de consumo. HEMTs son los mejores dispositivos para amplificar, oscilar y generar señales de radiofrecuencia (RF). Los componentes electrónicos de arsenida (GA), que tienen mayor movilidad de electrones que los materiales de silicio para semiconductores, se utilizan en la gran mayoría de los transistores de alta movilidad de electrones. Además, los transistores de alta movilidad de electrones están ganando popularidad en el mercado industrial de usuarios finales para la amplificación de señales en aplicaciones industriales. Estos son altamente útiles en la distribución de energía eléctrica porque permiten la transmisión efectiva de electricidad de alta tensión a través de grandes distancias, reduciendo la pérdida de energía y el costo.

Regional Insights

América del Norte tiene una cuota de mercado dominante en el alto mercado de transistores de movilidad de electrones durante el período predicho.

América del Norte domina más del 38,7% del elevado mercado de transistores de movilidad de electrones durante el período previsto. Este dominio del mercado puede deberse a sus aplicaciones generalizadas en industrias como electrónica de consumo, aeronaves, coches y otros. La expansión de estos verticales promueve el crecimiento del mercado en esta área. Además, la presencia de importantes fabricantes en esta región contribuye a apoyar el crecimiento del mercado debido a las mejoras tecnológicas.

Por el contrario, se espera que Asia Pacífico crezca más rápido durante el período previsto. Esta expansión puede deberse a la expansión de la demanda de electrónica de consumo y al aumento de las inversiones de países como China, India, Japón y Corea del Sur.

Lista de jugadores clave del mercado

• Ampleon
• Mitsubishi Electric
• Fujitsu
• TOSHIBA
• Infineon
• Renesas Electronics
• Cree
• Qorvo
• Microsemi
• Wolfspeed
• Cryotronics
• ST Microelectronics
• Instrumentos de Texas
• Oki Electric

Principales desarrollos del mercado

• El 2023 de mayo, Infineon Technologies AG ha integrado con éxito la tecnología CoolGaNTM 600 V de transistor de inyección de compuerta híbrido-drain-embedded (HD-GIT) en su fabricación interna. La empresa ahora está liberando la cartera completa de sus dispositivos GaN de alta calidad al mercado más amplio. Aprovechando la cadena de suministro totalmente controlada y de propiedad de Infineon, la cartera ampliada de GaN incluye una amplia gama de dispositivos GaN discretos e integrados que superan con creces los requisitos de vida de JEDEC. Los nuevos dispositivos CoolGaN han sido optimizados para varias aplicaciones que van desde SMPS industriales para servidores, telecomunicaciones y aplicaciones solares a consumidores, como cargadores y adaptadores, unidades de motor, TV/monitor y sistemas de iluminación liderados.

• En marzo de 2022, Teledyne e2v HiRel ha introducido nuevas versiones de su popular 650 V, 60 Transistores de alta fiabilidad de nitrido de nitrito de gallium de alta movilidad de electrones (GaN HEMTs). GaN HEMTs de Teledyne e2v HiRel incluye trazabilidad de lote de onda simple, un rango de rendimiento de temperatura aumentado de 55 a +125 °C, y baja inductancia, envase de baja resistencia térmica.

• En septiembre de 2022, El Instituto de Investigación de Tecnología Industrial de Taiwán (ITRI) y Oxford Instruments han anunciado nuevos avances tecnológicos que ayudarían a áreas críticas de hipercrecimiento como vehículos eléctricos, centros de datos y 5G. Una unión de puerta recesada y blindada dentro de la capa de nitrido de gallium de aluminio (AlGaN) define la nueva arquitectura de transistor de alta movilidad GaN MISHEMT (HEMT). En comparación con los dispositivos convencionales, el descubrimiento permite que los componentes transistores esenciales funcionen con mayores voltajes, aumentando el rendimiento y la fiabilidad al mismo tiempo alcanzando una operación más segura y más eficiente de energía (generalmente fuera de 'E-mode').

• En junio de 2021, ST Microelectronics presentó una nueva serie de piezas GaN llamadas STi2GaN, que representa ST Intelligent e Integrated GaN. Para garantizar la durabilidad y la fiabilidad, las partes utilizan la tecnología de embalaje sin hilo ST. La nueva serie de productos busca utilizar la excelente densidad de potencia y eficiencia de GaN para proporcionar una gama de dispositivos transistores de alta movilidad de 100-V y 650-V (HEMT).

Market Segment

Este estudio prevé ingresos a nivel mundial, regional y nacional de 2020 a 2032. Spherical Insights ha segmentado el mercado mundial de transistores de alta movilidad de electrones basado en los segmentos siguientes:

Mercado de Transistores de Movilidad de Electrones Alto, Análisis de Tipos

• Gallium Nitride (GaN)
• Carburo de silicona (SiC)
• Gallium Arsenide (GaAs)
• Otros

Mercado de Transistores de Movilidad de Electrones Alto, Análisis de Usuarios Finales

• Consumer Electronics
• Automoción
• Industrial
• Aerospace & Defense
• Otros

Mercado de Transistores de Movilidad de Electrones Alto, Análisis Regional

• América del Norte
  • Estados Unidos
  • Canadá
  • México
• Europa
  • Alemania
  • Uk
  • Francia
  • Italia
  • España
  • Rusia
  • El resto de Europa
• Asia Pacífico
  • China
  • Japón
  • India
  • Corea del Sur
  • Australia
  • El resto de Asia Pacífico
• América del Sur
  • Brasil
  • Argentina
  • El resto de América del Sur
• Oriente Medio y África
  • UAE
  • Arabia Saudita
  • Qatar
  • Sudáfrica
  • El resto del Oriente Medio " África